|
|
 |
|
|
|
|
|
|
| Detalji |
| Projekt: |
Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju |
| Voditelj: |
Petar Biljanović |
| Ustanova: |
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb |
| Sažetak: |
Prvi dio projekta istražuje visoko dopirane polisilicijske slojeve sa stabilnim električkim i toplinskim karakteristikama.Slojevi se deponiraju u LPCVD reaktoru na keramičke podloge koje uz visoki električki otpor posjeduju dobru toplinsku vodljivost. Površina polisilicija se štiti tankim oksidnim slojem koji se formira termičkim rastom. Ova struktura efikasno pretvara električku energiju u toplinsku. Toplina se kroz keramičku podlogu efikasno prijenosi u medij ispod keramičke podloge. Pri tome je zbog strukture ovakovih termičkih elemenata prijenos topline iz polisilicijskog sloja bolji nego kod postojećih termičkih elemenata. Zbog toga je termički element zagrijan na temperaturu koja nije bitno veća od temperature medija kojega se grije. Izborom geometrijskih parametara strukture i izborom vrste i koncentracije primjesa koje se difundiraju u polisilicij mogu se programirati električke i toplinske karakteristike termičkih elemenata za specifične primjene u elektronici, tehnici, fizici, medicini, kemiji i sl. Istraživanje će se u prvom redu odnositi na definiranje tehnološkog procesa i njegovo optimiranje. Pri tome će se koristiti LPCVD oprema na IRB-u, oprema za simulaciju tehnološkog procesa na FER-u, te mjerna oprema na IRB-u, FER-u i FSB-u u Zagrebu.
Drugi dio projekta orijentiran je ka sofisticiranim poluvodičkim strukturama submikrometarskih planarnih dimenzija. Razmatrat će se bipolarne i MOS unipolarne strukture. Fizikalne granice su određene efektima kratkog i uskog kanala, injekcijom vrućih nosilaca, zasićenjem driftne brzine, utjecajem podlige, strujama curenja, tuneliranjem nosilaca, efektima vremena proleta, mehanizmima proboja i sl. Istražit će se utjecaj skaliranja na svojstva bipolarnih i MOS tranzistora submikrometarskih dimenzija i predložiti strukture koje mogu kompenzirati utjecaj efekata višeg reda. Posebno će se analizirati bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje (HCBT) sa SiGe bazom. Na taj način se bipolarnom silicijskom tehnologijom simulira heterospojni tranzistor. Simulirat će se električke karakteristike takovog tranzistora na simulatoru TCAD i usporediti s karakteristikama standardnih vertikalnih SiGe tranzistora.
Treći dio projekta istražuje sintezu ćelija za VLSI/ULSI mikroelektroničke sklopove. Polazi se od silicija, sofisticiranih MOS, CMOS i bipolarnih tranzistora i njihovih svojstava i dovodi u vezu fizikalne parametre materijala sa električkim karakteristikama ćelija na kojima se gradi sustav. |
|
|
|
|
|
|
|
