|
|
 |
|
|
|
|
|
|
| Detalji |
| Projekt: |
Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene |
| Voditelj: |
Tomislav Suligoj |
| Ustanova: |
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb |
| Sažetak: |
Postojeći elektronički elementi uskoro će dosegnuti svoja fizikalna ograničenja uslijed skaliranja diktiranog Moore-ovim zakonom. Za nastavak napretka karakteristika CMOS struktura potrebni su novi koncepti i nova tehnološka rješenja. FinFET struktura i silicij ni na čemu FET smatraju se jednim od najperspektivnijih nasljednika klasičnog CMOS-a u nanometarskom području.
Cilj predloženog projekta je razviti nove tehnološke postupke koji će omogućiti realizaciju novih elektroničkih elemenata u siliciju i/ili unaprijediti postojeće elektroničke elemente i doprinijeti rješenju nekih od problema koji ograničuju današnje elemente. To će se demonstrirati na konkretnim primjerima što uključuje istraživanje mogućnosti realizacije FinFET-a velike efektivne visine sa minimalnom koncentracijom defekata u materijalu i gotovo idealnim pravokutnim presjekom te vertikalne SONFET strukture sa minimalnim površinama pn spojeva. Ovakav tehnološki pristup riješit će neke od glavnih problema postojećih SONFET i FinFET struktura.
Primjer novih tehnoloških metoda i postupaka je realizacija FinFET na čistoj silicijskoj podlozi orijentacije (110), gdje će aktivni dio biti procesiran na (111) bokovima. Korištenjem nitridnog rastavnika kao maske dobit će se tijela širine 10-50 nm i visine veće od 300 nm. Očekuje se i realizacija vertikalnog potpuno osiromašenog SONFET-a na kojem će se debljina tijela i duljina kanala definirati procesima epitaksije SiGe sloja i intrinsičnog silicija.
Rezultati će se provjeriti karakterizacijom dobivenih struktura električkim mjerenjima direktno na čipu. Nanometarski elektronički elementi će se analizirati pomoću računalnih simulacija. Na taj način analizirat će se specifični efektni za ovakve nove strukture, usporedit će se sa simulacijama postojećih MOSFET-a ekvivalentnih geometrijskih dimenzija i obavit će se projektiranje i optimiranje elemenata. Također će se stimulirati sklopovska svojstva nanometarskih elektroničkih elemenata i istražit će se mogućnosti njihove integracije sa ostalim elementima kao što su SiGe bipolarni tranzistori, pasivni elementi, MEMS-ovi.
Važnost ovog istraživanje je u širokoj primjeni razvijenih tehnoloških metoda te simulacijskih postupaka na velikom tržištu poluvodičke industrije te razvoj znanja potrebnih za projektiranje novih elektroničkih elemenata te integriranih elektroničkih sklopova kao i dizajn sustava na čipu. |
|
|
|
|
|
|
|
