|
|
 |
|
|
|
|
|
|
| Detalji |
| Projekt: |
Poluvodički materijali za optoelektroniku i nanotehnologiju |
| Voditelj: |
Branko Šantić |
| Ustanova: |
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb |
| Sažetak: |
Proučavati će se poluvodiči od interesa za primjene u optoelektroničkim i elektroničkim komponentama. Prvenstveno će se studirati električne i optičke karakteristike materijala i jednostavnih struktura. Naročita pažnja će biti posvećena karakterizaciji defekata koji određuju električna svojstva.
Istraživati će se širokopojasni članovi tzv. nitridnih poluvodiča (GaN, AlN, AlxGa1-xN), te silicij-karbid, SiC.
Nitridi su pogodni za emisiju i detekciju svjetla u plavom i ultraljubičastom dijelu spektra jer imaju širok energetski procjep i direktni prijelaz. Nadalje, svi odabrani poluvodiči su postojani na visokim temperaturama, imaju odličnu termičku vodljivost, dobru pokretnost nosilaca naboja, visoku saturacionu brzinu nosilaca i veliki napon proboja. Ta ih svojstva kvalificiraju i za izradu elektroničkih komponenti kao što su npr. tranzistori snage koji se koriste u mobilnoj komunikaciji. Kod nitrida će se proučavati n-tip dopiranja silicijem u AlN, te svojstva magnezij-akceptora u GaN. Za silicij u AlN treba odrediti optimalne parametre rasta, uvjete za aktivaciju, te stvarnu dubinu nivoa. Modelirati će se posljedice nastanka Mg-vrpce na statistiku nosilaca naboja. Proučavati će se izbor metala i postupci za dobivanje Ohmskih električnih kontakata na AlGaN i AlN. Analizirati će se električni transport na spoju metal-poluvodič. Proučavati će se transport u AlGaN-AlN heterostrukturama zbog moguće primjene u širokopojasnim tranzistorima snage. Osim dopanada, proučavati će se i drugi električki aktivni defekti. Najvažnije primjene SiC nalazi u proizvodnji visokonaponskih dioda, te kao podloga (substrat) za rast bijelih i plavih svjetlećih dioda baziranih na nitridima. Intenzivno se radi i na razvoju tranzistora snage. Dopiranje SiC je otežano jer je termička difuzija prespora, pa je stoga implantacija korisna alternativa. Primjenom ionske implantacije modificirati će se električne karakteristike s nekoliko dopanada od praktičnog interesa. U kombinaciji s raznim postupcima aktivacije termičkim tretmanom, proučavati će se i formiranje Ohmskih kontakata i/ili formiranje područja osiromašenja za stvaranje p-n spoja ili Schottky dioda. Nadalje, proučavati će se rast, te strukturna i električna svojstva SiC-nano-točaka. |
|
|
|
|
|
|
|
