|
|
 |
|
|
|
|
|
|
| Detalji |
| Projekt: |
Istraživanje dušikovih defekata u složenim poluvodičkim spojevima |
| Voditelj: |
Mladen Petravić |
| Ustanova: |
Filozofski fakultet, Rijeka |
| Sažetak: |
Predloženi projekt ujedinjuje međunarodnu grupu znanstvenika na ispitivanju uloge defekata u dušikovim poluvodičkim spojevima pogodnim za primjenu u optoelektronici.
Važnost i novina sadržana u samome projektu odnosi se na potpuno novi pristup u direktnoj identifikaciji i analizi dušikovih defekata pomoću analitičkih metoda utemeljenih na sinhrotronskom zračenju. Ovaj će pristup unaprijediti naše temeljno znanje o defektima i olakšati inovacije u tehnologiji poluvodičkih spojeva.
Dušikovi poluvodiči su trenutačno od velikog znanstvenog i tehnologijskog interesa zbog njihovih novih fizikalnih svojstava i imaju veliki potencijala za primjenu u novim tehnologijama, od laserskih uređaja za optičku telekomunikaciju do izrade visokodjelotvornih sunčevih ćelija.
Dušikova uloga u ovim spojevima je važna i fascinirajuća. Kao razrijeđeni substitucijski element u III-N-V spojevima, poput GaNAs, dušik uzrokuje dramatično smanjenje energetskog procjepa kojeg premješta u blisko infracrveno područje. Istovremeno uzrokuje promjenu u veličini konstante rešetke, koja se približava vrijednosti silicija, što otvara mogućnost integracije na jedinstvenoj podlozi mikroelektronike utemeljene na Si i optoelektronike utemeljene na III-V tehnologiji. Od presudne važnosti za uspostavu ovakvih integriranih uređaja je povećanje dušikove koncentracije bez neželjene degradacije optičkih i elektronskih svojstava.
Potpuno ostvarenje potencijala dušikovih poluvodiča u navedenim primjenama zahijeva temeljno razumijevanje dušikovih defekata, koji su prisutni u spojevima ili se u njih unose u različitim koracima obrade, jer upravo oni mogu kritički utjecati na svojstva poluvodičkih spojeva i uređaja. U predloženom projektu istražit ćemo metode za direktno opažanje i karakterizaciju dušikovih defekata, poput intersticijskih ili supstitucijskih atoma, ili pak dušikovih molekula i njihove uloge u svojstvima poluvodičkih spojeva, metodama fotoemisije ili apsorpcije x-zraka, utemeljenim na sinhrotronskom zračenju, te elektronskom mikroskopijom.
Ključna informacija za identifikaciju defekata je položaj njhovih energetskih razina, koje ćemo odrediti iz apsorpcijskih spektara. Dodatnu potvrdu za postojanje određenih defekata dobit ćemo iz teorijskih simulacija tih spektara uz uporabu ab initio FEFF programa temeljenog na teoriji višestrukog raspršenja. Za direktno opažanje i karakterizaciju molekularnog dušika koristit ćemo visokorazlučiva apsorpcijska mjerenja x-zraka i elektronsku mikroskopij |
|
|
|
|
|
|
|
